本校金属材料研究所的米永一郎教授的研究小组，设计了半导体锗的结晶生长的新方法，成功实现了无缺陷的高品质结晶的培养。培养结晶时，要去除融液表面所产生的称为氧化锗的异物，非常方便简洁，培养了无位错的高品质结晶。

详细(日语)