结合自旋电子不挥发性和半导体逻辑集成电路实现省电系统芯片
本校(校长：井上明久)节能自旋电子系统中心，电气通信研究所的池田正二副教授，大野英男教授等人的小组和日立制作所有限公司(总裁：中西宏明，以下简称日立)产学联合研究，开发了使半导体逻辑集成电路不挥发的高性能垂直磁化TMR器件。新开发的器件是利用绝缘体•垂直磁场互相排斥的原理。(1)大小40nm器件具有很高的不挥发性，(2)124％高隧道磁阻比，(3)49μA的低电流，(4)半导体逻辑集成电路标准制造工序350℃的热处理，逻辑集成电路必须满足以上4项。新开发的器件都满足了，在世界上尚属首列。一般逻辑集成电路还必须使用贵金属原料，但这次未使用贵金属原料就成功了。在节省资源，费用上领先一步。大小40nm的器件换成存储器来算的话，相当于8Gbit的存储容量。通过半导体逻辑集成电路不挥发的原理，有着高性能•节能的逻辑集成电路系统芯片开拓了低耗电的道路。
该成果，于2010年7月11日18:00(英国时间)被登载在英国科学杂志「Nature Materials」的在线版上。
 

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联系人：东北大学节能自旋电子系统中心  池田正二 副教授
东北大学节能自旋电子系统中心    门胁丰  室长
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