国立大学法人东北大学节能・自旋电子集成化系统中心及电气通信研究所的大野英男教授与羽生贵弘教授的团队，与日本电气株式会社（以下简称为NEC）的产学联合研究，成功开发了，将自旋注入磁化反转型磁性隧道结（MTJ）设备与硅设备组合，使不挥发记忆机能与演算机能紧凑一体化，世界上最少元件数完全并列型不挥发的三重内容可寻址存储器（TCAM）芯片。根据参与了标准硅CMOS电路项目的机构NEC，该电路制备了自旋电子设备部分，成功地进行了原理动作实证。目前，TCAM芯片，被用为网络路由器的病毒检测与数据库机器的高速数据检索硬件等，该实现方法的成功，大大推进了相当于大脑机能的纳入了一般电子机器的LSI系统的超低节电化道路。

并且，在6月13日至17日在京都召开的半导体回路技术的国际学会“VLSI Circuit Symposium 2011”上，东北大学于17日发表了此次的成果。

该成果由内阁府的最先端研究开发支援项目（题为：节能・自旋电子逻辑集成电路的研究开发）的核心研究者东北大学的大野英男教授研究而得的。

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