根据国立大学法人东北大学节能・自旋电子集成化系统中心及电气通信研究所的大野英男教授的团队，与株式会社日立制作所的产学联合研究，为了使LSI系统的待机电力为零，对于被用作记录元件的垂直磁化MTJ元件，因采用了新构造而成功提高了它的不挥发性。垂直磁化MTJ元件有两个磁石（磁性层），磁石朝向相反状态会使反向力持续作用。这会使得磁石的朝向变得不稳定，作为不挥发性指标的热安定性Δ会减少。因此，对MTJ元件采用新型步阶构造，因抵制了磁石间的反向力，而提高了Δ，并能满足集成化时的不挥发性。这种MTJ元件不挥发性的提高，能使相当于大脑的LSI系统产生控制机器的节能动作时向实现超低消费电力大幅前进。

本研究是根据日本学术振兴会的最先端研究开发支援项目“节能自旋电子逻辑集成回路的开发研究”展开的。此成果预定发表于Symposia on VLSI Technology。

详情（日语）

（联系方式）

东北大学节能自旋电子集成化系统中心 支援室

门协丰 室长

电话(0081)022-217-6116

电子邮箱 sien*csis.tohoku.ac.jp （将*替换为@）