东北大学大学院理学研究科大学院生 高山akari与东北大学原子分子材料科学高等研究机构的高桥隆教授、大阪大学产业科学研究所的小口多美夫教授的研究小组发现了，作为下一代自旋电子器件的运行机制备受关注的拉什巴效应，发生在半导体和金属的界面（接合面）之间。观测采用了拥有世界最高分辨率的超高分辨率自旋分辨光电子能谱设备。这一发现，与半导体电子设备一样，开拓了利用物质接合面的下一代自旋电子器件的开发道路。

本研究成果于4月11日刊登在美国化学学会杂志《Nano Letters》。

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高桥 akari（博士后期课程3年级）

东北大学大学院理学研究科

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高桥 隆 教授

东北大学原子分子材料科学高等研究机构（兼任大学院理学研究科）

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