2012年 | 报纸发表
超小型·超高速·超低功耗的纳米技术创新－实现次世代集成电路的关键－石墨烯纳米带的突破性合成与积累法的开发
东北大学大学院工学研究科的畠山力三（Hatakeyama Rikizo）名誉教授、加藤俊显（Kato Toshiaki）助教，开发了由碳原子一层的厚度构成的二维烯片变成一维带状结构－的石墨烯纳米带的突破性合成和整合方法。
通过使用开发的手法，在纳米复合材料或者超微细电子电路形成的基板上的任意方向、位置上，自由自在地控制并合成石墨烯纳米带，首次在世界上取得了成功。并且，证实了利用该手法合成的石墨烯纳米带是作为高性能半导体器件（电流的通断比：10,000以上）操作的。
该成果刊登于2012年9月9日（英国时间）的英国科学杂志《Nature Nanotechology》在线版本。
【联络方式】
东北大学大学院工学研究科助教 加藤 俊显（Kato Toshiaki）
TEL：(0081)022-795-7046
E-mail: kato12*ecei.tohoku.ac.jp （请将*更改为@）
东北大学大学院工学研究科
名誉教授 畠山力三（Hatakeyama Rikizo）
TEL：(0081)022-795-7045
E-mail: hatake*ecei.tohoku.ac.jp （请将*更改为@）