东北大学流体科学研究所及原子分子材料科学高等研究机构的寒川诚二教授的小组，此次使用对锗通道MOS晶体管制造工艺中绝缘门的形成无损伤，并可实现低温氧化的中性粒子束氧化工艺，首次实现了被认为极困难直接形成的2.0nm以下极薄高品质锗氧化膜（EOT＜2.0nm），证实了MOS晶体管界面在电气特性上是超低界面水平。此工艺对预见将在2020年左右实现实用化的12纳米世代以下的超LSI设备来说，必不可缺。

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东北大学流体科学研究所

流体融合研究中心智能纳米过程研究方向

教授 寒川诚二、助教 和田章良

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