发现新种拓扑物质-通向下一世代节能设备开发的重大进展-
东北大学大学院理学研究科的佐藤宇史准教授、大阪大学产业科学研究所的安藤阳一教授及东北大学原子分子材料科学高等研究机构的高桥隆教授的研究小组,确认了从40年以前就开始研究的锡碲化物(SnTe)半导体是全新型拓扑物质。这项成果被期待对下一世代支持节能电子机器的自旋电子材料技术及其产业化做出巨大贡献。本成果于2012年9月30日(英国时间)发表于英国科学杂志《Nature Physics》在线版上。
【联系方式】
东北大学大学院理学研究科
准教授 佐藤宇史
Tel:(0081)022-795-6477
邮箱:t-sato*arpes.phys.tohoku.ac.jp (将*换成@)
东北大学原子分子材料科学高等研究机构(兼任大学院理学研究科)
教授 高桥隆
Tel:(0081)022-795-6417
邮箱:t.takahashi*arpes.phys.tohoku.ac.jp(将*换成@)