2012年 | 报纸发表
用仅数个原子层厚的金属膜控制电子磁化操作效率-期待向使用极薄磁性膜的不挥发性存储器演算元件技术的拓展-
独立行政法人物质・材料研究机构磁性材料部的林将光(Hayashi Masamitsu)主任研究员等人的研究小组,联合国立大学法人东北大学节能自旋电子集积化系统中心、电气通信研究所及原子分子材料科学高等研究机构的大野英男(Ohno Hideo)教授等共同进行研究,基于用非磁性金属层与氧化物层夹着极薄强磁性金属层的磁性纳米异型接合体,发现了只需让非磁性金属层的厚度变化仅数个原子层,就可大幅改变强磁性金属层的磁化方向的电子控制效率。
关于本新闻的联系方式
(研究相关)
独立行政法人物质・材料研究机构磁性材料部自旋电子小组
主任研究员 林将光(Hayashi Masamitsu)
E-mail: hayashi.masamitsu*nims.go.jp (把*换成@)
TEL:(0081)029-859-2136
URL: http://www.nims.go.jp/apfim/spin/indexj.html
(最先进研究开发支援项目“节能自旋电子逻辑集积回路的研究开发”事业相关)
东北大学节能自旋电子集积化系统中心支援室
室长 门脇丰(Kadowaki Yutaka)
〒980-8577仙台市青叶区片平2-1-1
E-mail: yut-kado*riec.tohoku.ac.jp (把*换成@)
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(报道负责)
独立行政法人物质・材料研究机构
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