2009年 | 受賞・成果等
2009年5月14日 14:49 | プレスリリース , 受賞・成果等 , 研究成果
透明導電膜用高結晶性ITO 単分散ナノ粒子の一段階大量合成 ～ソルボサーマル・ゲルーゾル法によるSn ドープ酸化インジウム粒子の直接合成～
多元物質科学研究所の村松淳司教授、蟹江澄志准教授（ともに専門は材料科学）とDOWA エレクトロニクス（株）の研究グループは、次世代液晶ディスプレイ用透明導電膜材料と して注目される、インジウムスズ酸化物(ITO)ナノ粒子の大量合成法の開発研究を進めてい るが、今回、熱履歴を経ず、原子レベルでSn が酸化インジウム中にドープされた高結晶 性ITO 単分散粒子の一段階合成に世界で初めて成功した。