2011年 | プレスリリース
磁気とシリコンを組み合わせた不揮発性論理回路で世界最高の動作周波数600MHzを実現
国立大学法人東北大学 (総長：井上明久/以下、東北大学) 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンターの遠藤哲郎教授と大野英男教授のグループは、日本電気株式会社 (代表取締役 執行役員社長：遠藤信博/以下、ＮＥＣ) との共同研究により、電子の性質であるマイナス電荷や微細な磁石であるスピンを利用したスピントロニクス技術とシリコンCMOS 技術を組み合わせて、600MHzで動作する世界最高速の不揮発性論理回路を開発しました。
東北大学が開発・設計した回路は、同期型論理集積回路の基本構成単位の一つであるフリップフロップの要素回路 (ラッチ回路)です。ＮＥＣが本回路の微細スピントロニクスデバイス部分を標準シリコンCMOS回路上に作製し、東北大学が原理動作を実証しました。今回の実証により、システムLSIの超低消費電力化が大きく前進しました。
【本件に関するお問い合わせ先】
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター支援室 笠井直記
TEL 022-217-6115
e-mail：n-kasai*csis.tohoku.ac.jp （*を@に置き換えてください）
ＮＥＣ 知的資産Ｒ＆Ｄ企画本部 広報グループ
【本件に関する報道機関からのお問い合わせ先】
ＮＥＣ コーポレートコミュニケーション部 山梨諒一
TEL 03-3798-6511
e-mail：r-yamanashi*ct.jp.nec.com （*を@に置き換えてください）