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わずか数原子層の金属膜で電気的磁化操作効率を制御-極薄磁性膜を用いた不揮発性メモリ・演算素子技術への展開に期待-

 独立行政法人物質・材料研究機構(理事長:潮田 資勝)磁性材料ユニットの林 将光主任研究員らの研究グループは、国立大学法人東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター、電気通信研究所及び、原子分子材料科学高等研究機構の大野 英男教授らと共同で、極薄の強磁性金属層を非磁性金属層と酸化物層で挟んだ磁性ナノヘテロ接合において、非磁性金属層の膜厚をわずか数原子層程度変化させるだけで、強磁性金属層における磁化方向の電気的制御効率を大きく変えられることを見出しました。

 

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本件に関するお問い合わせ先

(研究内容に関すること)

独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料ユニットスピントロニクスグループ

主任研究員 林 将光(はやしまさみつ)

E-mail: hayashi.masamitsu*nims.go.jp (* を@に置き換えて下さい)

TEL: 029-859-2136

URL: http://www.nims.go.jp/apfim/spin/indexj.html

 

(最先端研究開発支援プログラム「省エネルギー・スピントロニクス論理集積回路の研究開発」の事業に関すること)

東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター支援室

室長 門脇 豊(かどわき ゆたか)

〒980-8577仙台市青葉区片平2-1-1

E-mail: yut-kado*riec.tohoku.ac.jp (* を@に置き換えて下さい)

TEL: 022-217-6116、FAX: 022-217-6117

 

(報道担当)

独立行政法人物質・材料研究機構

企画部門 広報室

〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1

TEL: 029-859-2026、FAX: 029-859-2017

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