理学研究科物理学専攻の高山あかりさんが「超高分解能スピン分解光電子分光による2次元ラシュバ電子系の研究」により第3回日本学術振興会育志賞を受賞しました。

　３月４日（月）、日本学士院にて行われた授賞式で、高山さんは受賞者代表として秋篠宮ご夫妻の前で挨拶をしました。

　「私の研究は、指導教員である高橋先生をはじめ、一緒に研究を進めてきた研究室全員での成果なので、このような栄誉ある賞を受賞できたのは研究室の皆さんのおかげです。この賞を励みに、さらに研究を続け、社会に貢献できる研究成果を残していきたいと思います。」と受賞の感想を語ってくれました。

【「日本学術振興会　育志賞」について】
「日本学術振興会　育志賞」は、天皇陛下の御即位20年に当たり、社会的に厳しい経済環境の中で、勉学や研究に励んでいる若手研究者を支援・奨励するため、天皇陛下より同振興会に贈られた御下賜金を基に、将来、我が国の学術研究の発展に寄与することが期待される優秀な大学院博士後期課程学生を顕彰することで、その勉学及び研究意欲を高め、若手研究者の養成を図ることを目的として、平成22年度に創設されました。

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