토호쿠 대학 원자 분자 재료 과학 고등 연구 기구의 카와사키 마사시(川崎 雅司) 교수는 ROHM 주식회사 및 동대학 금속 재료 연구소와 다원 물질 과학 연구소와 공동으로 반도체 소자 제조의 범용 기술인 분자선 에피택시(MBE)법을 이용해 산화 아연(ZnO)계 자외 발광 다이오드(LED) 제작과 그 고휘도화에 성공하였습니다. 이번에 사용된 소자에는 전도성 ZnO 기반이 사용되었으며, 금후 저렴한 가격의 단파장 발광 소자 응용에 연결되는 성과라고 말 할 수 있습니다.

LED는 반도체 소자의 하나로 p형과 n형에 도전성(導電性) 제어된 반도체의 적층(積層) 구조로 구성되어져 있습니다. 이 소자에 전류를 인가하는 것으로 반도체의 금제대(禁制帯)폭과 같은 에너지의 빛으로 변환하는 것이 가능합니다. 근년에는 질화 칼륨(GaN)계 청색 LED와 형광체를 이용한 백색LED가 액정 디스플레이의 backlight나 조명용 광원으로서 이용되어 브라운관이나 형광등에 비교해 대폭으로 전력 절약화가 가능하게 되었습니다.

본 연구 그룹은 이번에 시판 도전성 ZnO 기반상에서 MBE법을 구사해 MgZnO의 p형화한CREST의 나노 계면 기술의 기준에 성공해 자외LED의 휘도의 대폭적인 개선을 달성하였습니다. 본 연구는 JST 전략적 창조 연구 추진 사업의 일환으로서 실시되었으며, 미국 학술지「Applied Physics Letters」의 온라인 판에서 근일중에 공개 됩니다.

상세(발표문 원문)

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카와사키 마사시(川崎 雅司)
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