저소비 전력과 장기 신뢰성에 뛰어난 상변화(相変化) 메모리 재료의 개발 – 불휘발성 상변화 메모리로의 응용을 목표로 하다 –

동북대학 대학원 공학 연구과 지능 디바이스 재료학 전공의 스토 유우지(須藤 祐司) 준교수, 코이케 준이치(小池 淳一) 교수(사이토 유타(齊藤 雄太), 카마타 토시야(鎌田 俊哉), 스미야 마사시(隅谷 真志) 각 대학원생) 등의 그룹은 내열성이 뛰어난 저융점 Ge-Cu-Te계 상변화(相変化) 메모리 재료 개발에 성공하였습니다. 이 성과에 의해 상변화 메모리의 결점인 데이터 개서(改書) 소비 전력을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 고온 환경하에서 데이터가 소실해 버리는 문제를 해소할 수 있습니다.

이번에 개발한 상변화 재료는 Ge, Cu 및 Te로 구성되는 화합물이며, 융점은 520℃정도이면서도 약 240℃의 높은 결정화 온도를 가지고 있습니다. 또한 어모퍼스상(amorphous相)의 내열성을 평가한 결과 170℃에서 10년간 보존이 가능하며, Ge-Sb-Te 어모퍼스상에 비해 극히 내열성이 뛰어납니다. 본 Ge-Cu-Te계 상변화(相変化) 재료는 기존의 Ge-Sb-Te계 보다도 융점이 100℃ 정도 낮은 소비 전력을 절감할 수 있는 것은 물론이거니와 125℃ 이상의 환경하에서도 10년간 데이터를 보존할 수 있기 때문에 고속 USB메모리뿐만 아니라 자동차 분야 등 고온 환경하에서 사용 가능한 불휘발성 상변화 메모리를 실현 할 수 있습니다. 이후로는 상변화 메모리 디바이스를 제작해 개서 속도 등 상변화 메모리로서의 성능을 검증하고 있습니다.

또한 본 연구 성과는 2010년 11월 25일에 개최되는 상변화 기록 연구회 심포지엄(개최 장소: 아타미(熱海) KKR 호텔)에서 발표할 예정입니다.

상세(발표문 본문)


[문의처]
동북대학 공학 연구과 지능 디바이스 재료학 전공 스토(須藤)
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E-mail： ysutou*material.tohoku.ac.jp(*를 @로 바꿔 주시기 바랍니다)