동북대학 다원물질 과학 연구소(소장:가와무라 준이치(河村純一), 이하「다원연」이라 함) 및 원자 분자 재료과학 고등연구기구(기구장:야마모토 요시노리, 이하「WPI」라 함)는, 초임계 암모니아를 이용한 「암모노서멀법(法)」에 의한 질화 갈륨(GaN) 결정 성장에 있어서, 산성광화제의 기상(氣相)합성법을 개발하여, 육성결정중의 잔류산소 농도가 종래의 100분의 1이상 낮은 질화갈륨벌크 단결정의 고속 육성에 성공하였습니다. 또한, 이것을 기반 결정으로서 모양이 일그러지지 않는 질화갈륨 결정이나, 원자층 오더에서 평탄하면서도 급격한 질화 알루미늄 갈륨(AlGaN)과 질화 갈륨의 헤테로 융합의 에피택시얼 성장에도 성공하여, 헤테로 계면에 형성되는 2차원 전자 가스를 관측하였습니다. 암모노서멀 결정 육성과 헤테로 구조의 유기금속화학기상 에피택시얼(MOVPE) 성막 기술은, 동북대학 다원연・질화물 나노 일렉트로닉스 재료연구센터의 이시구로 토오루(石黒徹) 연구실, 요코야마 치아키(横山千昭) 연구실, 치치부 시게후사(秩父重英) 연구실과 WPI의 후쿠다 츠구오(福田承生) 연구실이 공동 체제로 개발해 온 것으로서, 본 성과의 일부는, 2월 말에 종료된 NEDO 에너지 절전 혁신기술 개발사업 프로젝트의 성과입니다.

상세(발표문 본문) 

(문의처)

다원물질과학 연구소

교수 치치부 시게후사(秩父重英) 022-217-5360

조교 카가미타니 유지(鏡谷勇二) 022-217-5101