국립대학 법인 동북대학 에너지 절약・스핀 트로닉스 집적화 시스템 센터 및 전기 통신 연구소의 오오노 히데오(大野 英男) 교수 그룹은 주식회사 히타치(日立) 제작소와의 산학연대 연구에 의해 시스템 LSI의 대기전력을 제로로 하기 위한 기록 소자로서 이용하는 수직자화(垂直磁化) MTJ소자에 있어 신구조를 채용하는 것에 의해 그 불휘발성을 높이는 것에 성공하였습니다. 수직자화 MTJ소자는 2개의 자석(자성층)을 가지고 있어 자석의 방향이 서로 반대 상태에서는 반발력이 발생합니다. 그 결과, 자석의 방향은 불안정해지고 불휘발성의 지표인 열안정성 Δ가 감소합니다. 따라서 새로운 스텝 구조를 MTJ소자에 채용하는 것에 의해 자석간의 반발력이 제어 가능하기 때문에 Δ가 향상하고, 집적화시의 불휘발성을 만족할 수 있는 것을 실증하였습니다. 이 MTJ소자의 불휘발성의 향상에 의해 기기를 제어해 에너지 절약 동작을 명령하는 두뇌인 시스템 LSI의 초저소비 전력 실현으로 크게 진전했습니다.

또한, 본 연구는 일본 학술 진흥회의 최첨단 연구개발 지원 프로그램「에너지 절약・스핀 트로닉스 논리집적 회로의 연구개발」에 의해 실시된 것입니다. 그리고, 본 성과는 Symposia on VLSI Technology에 발표할 예정입니다.

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(문의처)

동북대학 에너지 절약・스핀 트로닉스 집적화

시스템 센터 지원실 카도와키 유타카(門脇 豊) 실장

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e-mail sien*csis.tohoku.ac.jp (*를 @로 바꿔 주시기 바랍니다)