동북대학 전기통신 연구소의 후키도메 히로카즈(吹留 博一) 조교 등은 실리콘(Si) 기반의 면방위에 의한 Si 기반상에 성장시킨 차세대 전자 재료 그라펜(GOS)의 다기능화(금속성·반도체성의 절단분리)에 성공해 GOS를 이용한 트렌지스터의 집적화도 가능하다는 것을 밝혀냈습니다.

현재의 반도체 집적 기술을 이용해 그라펜의 다기능화·집적(集積) 가능성을 나타낸 것은 그라펜의 다기능 집적회로로의 길을 개척했다는 의미이며, 획기적인 성과입니다.

상세(일본어)

문의처:

동북대학 전기통신 연구소

후키도메 히로카즈(吹留 博一), 스에미츠 마키(末光 眞希), 오츠지 타이치(尾辻 泰一)

E 메일: fukidome*riec.tohoku.ac.jp (*를 @로 바꿔 주시기 바랍니다)

전화: 022-217-5484,5485,6102

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