2012년 | 프레스 릴리스
초저손상 중성입자 빔 산화 프로세스 기술에 의한 12나노미터 세대 이후의 고품질 Ge MOS 트랜시스터 구조를 실현(유체과학 연구소 사무카와(寒川) 교수)
동북대학 유체과학 연구소 및 원자분자 재료과학 고등연구기구의 사무카와 세이지(寒川誠二) 교수 그룹은 이번에 2020년 경에 실용화 할 것으로 예상하고 있는 12나노미터 세대 이후의 초LSI 디바이스에 필요 불가결한 게르마늄 채널 MOS 트랜시스터 제조 프로세스에 있어서 게이트 절연막 형성에 손상 없이 저온 산화가 실현 가능한 중성 입자 빔 산화 프로세스를 사용하는 것으로는 곤란 했던 2.0nm 이하의 극도로 얇은 고품질 게르마늄 산화막(EOT＜2.0nm)의 직접 형성을 최초로 실현하였으며 전기적으로 MOS 트랜시스터 계면이 초저 계면 준위인 것을 실증하였습니다.
[문의처]
동북대학 유체과학 연구소
유체 융합 연구 센터 지적 나노프로세스 연구분야
교수 사무카와 세이지(寒川誠二), 조교 와다 아키라(和田 章良)
주소: 〒980-8577 仙台市青葉区片平２丁目１番１号
TEL/FAX: 022-217-5240, 5318
E-mail: samukawa*ifs.tohoku.ac.jp (*를 @로 바꿔 주시기 바랍니다)