高质量锂电池开发的新方针 -通过将材料技术和数学相结合,解明薄膜制作中锂缺损的机制-
东北大学原子分子材料科学高等研究机构(AIMR)的丹尼尔•帕克伍德助教、白木将(Shiraki Susumu)讲师及一杉太郎(Hitosugi Taro)副教授的研究小组,在合成作为锂电池正极材料的锰酸锂薄膜的时候,用数学方式解明了薄膜中锂的缺损机制。锂的缺损是由于导入的氧分子导致作为轻元素的锂原子被强烈分散而引起的。这一成果,在低杂质的高质量薄膜合成、锂电池及使用机能性氧化物的高性能设备的开发上开拓了宽广的大路。
<联系方式>
(研究内容相关)
东北大学原子分子材料科学高等研究机构
副教授 一杉太郎(Hitosugi Taro) 电话:022-217-5944
(报道负责人)
东北大学原子分子材料科学高等研究机构
公共关系处 外联办公室 中道康文(Nakamichi Yasufumi)电话:022-217-6146
