实证线幅20nm磁壁移动存储元件的动作 -确认其优秀的微细化特性和高速・低功耗性能-
国立大学法人东北大学・低功耗・自旋电子学集成化系统中心的大野英男(Ohno Hideo)中心长(兼任东北大学电气通信研究所・教授、原子分子材料科学高等研究机构・首席研究员、国际集成电子研究开发中心・教授)的研究小组,与国立大学法人京都大学・化学研究所的小野辉男(Ono Teruo)教授等的研究小组进行共同研究,对可期待应用于自旋电子学逻辑集成回路的磁壁移动存储元件进行了试作和评价,并明确了该元件具有非常好的微细化特性(可扩展性)和高速・低功耗特性。该研究小组制作了线幅20nm的世界上最小的磁壁移动元件。此研究小组验证了此元件运作良好,同时也显示可通过用比以往报告值小一位数的世界最小的电力进行磁壁移动从而进行信息重写。作为此研究成果的磁壁元件处在世界尖端水平,与次时代的半导体逻辑集成回路有极好的相容性,而且这也意味着此技术具有实用性的高技术,可期待应用于面向搭载该元件的自旋电子学逻辑集成回路的多种多样的应用。
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东北大学 节能・自旋电子学集成化系统中心 支援室
门脇 丰(Kadowaki Yutaka)室长
电话:022-217-6116
E-mail:sien*csis.tohoku.ac.jp(把*换成@)
京都大学 化学研究所
小野 辉男(Ono Teruo)教授
电话:0774-38-3103
E-mail: ono*scl.kyoto-u.ac.jp(把*换成@)
