国立大学法人东北大学・低功耗・自旋电子学集成化系统中心的大野英男（Ohno Hideo）中心长（兼任东北大学电气通信研究所・教授、原子分子材料科学高等研究机构・首席研究员、国际集成电子研究开发中心・教授）的研究小组，与株式会社ULVAC进行产学连携研究，成功的制作了直径11nm大小的磁性隧道结合元件。此外，采用东北大学的同一研究小组开发的材料而制成的磁气隧道结合，即使在到直径20nm以下的大小的时候，此材料仍具有高非易失性及低功耗性兼容的特性在世界上首次得到了实证。根据本研究，既存的半导体内存（RAM）被预测为在20nm以下很难实现微细化的技术世代，可使用磁气隧道结合的高非易失性自旋电子学内存来实现微细化。

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