자기(磁氣) 모우멘트의 파장을 이용한 저에너지 자화(磁化) 스위칭에 성공 - 초고밀도 자기 기억 디바이스의 작성 기술로의 발전에 기대 -
동북대학 금속재료 연구소의 타카나시 코우키(高梨 弘毅) 교수 및 세키 타케시(関 剛斎) 조교의 그룹은 게이오기주쿠(慶應義塾) 대학 이공학부의 노자키 유키오(能崎 幸雄) 준 교수 및 산업기술 종합 연구소 나노 스핀 트로닉스 연구 센터의 이마무라 히로시(今村 裕志) 연구 팀장과의 공동 연구에 의해 두 가지 다른 성질을 가진 자석을 나노 미터의 두께(나노는 10억분의 1)로 적층화함으로써 자석 안에 자기 모우멘트의 파장을 생성하고, 그 스핀 파장을 이용해서 종래의 10분의 1이라는 작은 자장에서 자화(磁化:물질이 자석의 성질을 띰)를 스위칭시키는 것에 성공했습니다.
<보도에 관한 문의처>
동북대학 금속재료 연구소 총무과 서무계
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