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낮은 오류율과 고속 데이터 입력 사이클을 실현하는 대용량 논리 혼재용 비휘발성 메모리의 동작 검증에 세계 최초로 성공

국립 대학 법인 동북대학 (총장: 사토미 스스무(里見 進)/이하, 동북대학) 에너지 절약・스핀 트로닉스 집적화 시스템 센터 및 전기 통신 연구소의 오오노 히데오 (大野 英男) 교수와 동북대학 에너지 절약・스핀 트로닉스 집적화 시스템 센터 및 공학 연구과의 엔도 테츠로 (遠藤 哲郎) 교수의 그룹은 최첨단 연구개발 프로그램(핵심 연구자: 大野 英男)에서 공동 사업 기관인 NEC와 집적 회로의 시험제작 협력을 얻어, 스핀 트로닉스 기술인 스핀 주입 자기화 반전형 자기터널접합 (Magnetic Tunnel Junction; MTJ) 디바이스와 실리콘 기술을 조합하여 논리 혼재용 1M 비트 비휘발성 메모리를 개발했습니다. 이 메모리는 표준 실리콘 CMOS 회로상에 동북대학에서 개발한 MTJ시험 제작 기술을 이용하고 있으며, 츠쿠바 이노베이션 아레나(TIA)에서 미세 스핀 트로닉스 장치 부분을 제작하여, 원리 동작 검증에 성공한 것입니다.

이번 성공은 앞으로 저파워 비휘발성 컴퓨팅 시스템에서 중요한 비휘발성 혼재 메모리의 과제인 데이터 입력의 낮은 오류율과 그 고속화를 컴팩트한 메모리 셀 사이즈를 유지한 채로 실현할 수 있으며, 시스템 LSI를 한층 더 고성능화 및 초저소비 전력화의 길로 크게 발전시켰습니다.

 

상세(일본어) PDF

 

[문의처]
동북대학 에너지 절약・스핀트로닉스 집적화 시스템 센터
지원실 실장 카도와키 유타카(門脇 豊)
전화번호: 022-717-6116
E-mail: yut-kado*riec.tohoku.ac.jp (*를 @로 바꿔 주시기 바랍니다)

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