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Si결정기판의 품질과 태양전지 특성을 순간에 판정! - 전류 변조 사탐침 저항률 측정법(Current-Modulating Four-Point-Probe (CMR) Method)의 개발 -

동북대학 금속재료 연구소의 한 고콘(藩 伍根) 박사들은 태양 전지용 Si결정기판의 새로운 품질 평가방법을 개발했습니다. Si 태양 전지의 에너지 변환 효율은 Si결정기판 안의 이질성(다양한 결핍 및 불순물의 분포)에 크게 의존합니다만, 기판 전체에 공간적으로 존재하는 이질성을 하나의 측정치로서 평가해 얻어낸 평가수치에서 태양 전지 특성을 예측 가능한 방법은 지금까지 없었습니다. 이번에 개발한 방법은 Si결정기판 안에 존재하는 이질성을 반영한 품질 평가치를 측정하는 것이 가능하며, 태양 전지를 제작하지 않아도 태양 전지 특성을 판정하는 것이 가능하며, 종래와는 다른 새로운 평가방법입니다. 본 개발 성과는 태양 전지용 Si결정기판의 품질 평가뿐만 아니라 태양 전지 제조 기술의 우열 또한 평가 가능한 방법이며, 차세대 실리콘 태양 전지의 가격 인하・고효율화 및 태양 전지 산업의 발전에 크게 공헌할 기술입니다. 본 연구 성과는 Applied Physics Letters지에 게재될 예정입니다.

 

상세(일본어)PDF

 

[문의처]
동북대학 금속재료 연구소
한 고콘(藩 伍根) 박사
e-mail:wugenpan*imr.tohoku.ac.jp (*를 @로 바꿔 주시기 바랍니다)
전화번호: 022-215-2102

후지와라 코우조우(藤原 航三) 준 교수
e-mail:kozo*imr.tohoku.ac.jp (*를 @로 바꿔 주시기 바랍니다)
전화번호: 022-215-2102

우다 사토시(宇田 聡) 교수
e-mail:uda*imr.tohoku.ac.jp (*를 @로 바꿔 주시기 바랍니다)
전화번호: 022-215-2100

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