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고 비휘발성•저소비 전력 CoFeB-MgO 자기 터널 접합의 실현 -고집적 스핀트로닉스 소자의 실용화에 전진-

국립대학 법인 동북대학 에너지 절약•스핀트로닉스 집적화 시스템 센터의 오오노 히데오(大野 英男) 센터장(동 대학 전기 통신 연구소•교수, 원자분자 재료과학 고등연구 기구•주임 연구자, 국제 집적 일렉트로닉스 연구 개발 센터•교수 겸임)의 그룹은 주식 회사 ULVAC과의 산학 제휴 연구에 의해 직경 11nm까지 크기의 자기 터널 접합 소자를 제작하는데 성공했습니다. 또한, 이 동북대학의 그룹이 개발한 재료를 사용한 자기 터널 접합에서 직경 20nm이하의 크기까지 미세화해도 비휘발성과 저소비 전력이 양립할 수 있음을 세계 최초로 실증했습니다.

본 연구에 의한 기존의 메모리 반도체(RAM)에서는 미세화가 어렵다고 예측되고있는 20nm이하의 기술 세대로 자기 터널 접합을 이용한 비휘발성 스핀트로닉스 메모리를 실현할 수 있음을 알았습니다.

 

상세(일본어)PDF

 

문의처

동북대학 에너지 절약•스핀트로닉스 집적화 시스템 센터(CSIS) 지원실장
카도와키 유타카(門脇 豊)
Tel: 022-217-6116
E-mail: sien*csis.tohoku.ac.jp(*를 @로 바꿔 주시기 바랍니다)

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