東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らは、東北大学工学研究科・エルランゲン大学（ドイツ）・高輝度光科学研究センター・弘前大学と共同で、微小電気機械システム（MEMS）技術を用いてSiC基板上にナノの表面ステップ（段差）を抑制したデバイス構造を作製することにより、次世代電子材料グラフェンのデバイス応用において大きな壁であった微視的な層数分布及び電子状態を制御したグラフェンを精密成長させる技術の開発に成功しました。この成果は、グラフェンの層数を制御してナノのスケールで電子物性を自在に操れる技術を実現したものであり、グラフェンを用いた次世代の高信頼性電子及び光デバイスの実用化を加速させるものです。

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〔お問い合わせ先〕

東北大学電気通信研究所
担当：吹留博一
TEL：022-217-5484
e-mail:fukidome*riec.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)