2013年 | プレスリリース
線幅20nm磁壁移動メモリ素子の動作を実証~優れた微細化特性と高速・低消費電力性能を確認~
国立大学法人東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンターの大野英男センター長(同大学電気通信研究所・教授、原子分子材料科学高等研究機構・主任研究者、国際集積エレクトロニクス研究開発センター・教授兼任)のグループは、国立大学法人京都大学 化学研究所の小野輝男教授らのグループとの共同研究により、スピントロニクス論理集積回路への適用が期待されている磁壁移動メモリ素子の試作・評価を行い、当素子が非常に優れた微細化特性(スケーラビリティ)と高速・低消費電力性能を有していることを明らかにしました。今回同グループは磁壁移動素子としては世界最小となる線幅20 nmの素子を作製し、良好な動作を確認するとともに、過去の報告値を一桁超下回る世界最小の電力で磁壁移動による情報の書き換えが可能であることを示しました。これらの成果は、磁壁移動素子が最先端、及び次世代の半導体論理集積回路との親和性に優れており、また当素子を混載したスピントロニクス論理集積回路が多彩な応用へと展開できる汎用性の高い技術であることを意味しています。
問い合わせ先
東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター 支援室
門脇 豊 室長
TEL: 022-217-6116
E-mail: sien*csis.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)
京都大学 化学研究所
小野 輝男 教授
TEL: 0774-38-3103
E-mail: ono*scl.kyoto-u.ac.jp(*を@に置き換えてください)