東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らのグループは、東大のグループと共同で、有望な次世代デバイス材料であるグラフェンを、Si基板上に三次元集積的に成長させることに初めて成功しました。さらに、この方法により、グラフェン物性の作り分け（金属性 vs. 半導体性）にも成功しました。
　今回の成果は、将来的なグラフェンとSiが融合した電子・光デバイス混載回路への道を拓くものです。

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東北大学電気通信研究所
准教授　吹留　博一
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