2016年 | プレスリリース・研究成果
永久スピンらせん状態と逆永久スピンらせん状態間の電気的制御に成功~次世代省電力・高速演算スピンデバイスの実現へ期待~
国立大学法人東北大学大学院工学研究科 吉住 孝平博士前期課程学生(現 トヨタ株式会社)、好田 誠准教授、新田 淳作教授らの研究グループは、半導体量子井戸の精密な構造設計により、スピン演算素子に必要な永久スピンらせん状態と逆永久スピンらせん状態間の電界制御に成功しました。これら二種類の永久スピンらせん状態間を電界制御することにより、半導体中の電子スピンの情報を長時間・長距離保持することが可能となり、かつ正確に情報伝達することが可能となります。本技術は、相補型電界効果スピントランジスタやスピン量子情報などの電子スピンを用いたデバイスの実現に大きく貢献すると考えられます。
この成果は、2016年3月28日に米国科学誌「Applied Physics Letters」でオンライン公開されました。
なお、本研究の一部は、独立行政法人 日本学術振興会 科学研究費助成金の助成を受けて行われました。
量子干渉効果を用いた磁気伝導測定の結果(左図)と各測定におけるスピン状態の模式図
問い合せ先
東北大学大学院工学研究科
教授 新田 淳作
TEL : 022‐795‐7315
Email : nitta*material.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)