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「世界初 電子の電荷とスピンを利用した省エネルギー論理集積回路の性能実証および研究開発拠点構築」について

 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター(CSIS)の大野英男センター長のグループは、日本学術振興会より助成を受けて、最先端研究開発支援プログラム「省エネルギー・スピントロニクス論理集積回路の研究開発」(平成21-25年度)を共同事業機関および委託研究機関と進め、以下の成果を得ました。(1)スピントロニクス論理集積回路を実証するための材料・素子の開発から集積回路設計・試作環境までの基盤的技術体系を構築・整備し、(2)開発した垂直磁気異方性を有する高性能スピントロニクス素子(磁気トンネル接合素子)を搭載した性能実証のための素子数100万個を超える大規模なスピントロニクス論理集積回路の設計・試作・評価を行って、(3)既存のCMOS集積回路に対して面積比×性能(遅延時間)比×消費電力比で1/64以下の性能を有する集積回路群を実証しました。これは、(4)材料から集積プロセス・回路設計技術までの一貫した開発を行ってスピントロニクス論理集積回路の性能実証ができる世界初・唯一の研究拠点を構築したことにほかなりません。今後は、研究開発をいっそう発展させ、実用化を目指した取り組みを進めてまいります。

 

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お問い合わせ先

東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター支援室
門脇 豊
Tel:022-217-6116
E-mail:sien*csis.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)

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