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グラフェンデバイスの動作中表面電位をピンポイントで測定することに成功~精密なグラフェンデバイス設計が可能に~

 東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授は、東京大学のグループと共同で東京大学放射光アウトステーションにある三次元ナノESCAを用いて、動作中のグラフェントランジスタ(GFET)の電位のピンポイント測定に成功しました。ポストシリコン材料の一つであるグラフェンはシリコンと異なる物性を持つ為、GFETの実用化は困難でした。
 今回の結果はGFETの精密設計を可能にし、その実用化を大きく前進させるものです。

 

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問い合わせ先

東北大学電気通信研究所
准教授 吹留 博一
電話番号:022-217-5484
E-mail:fukidome*riec.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)

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