本文へ
ここから本文です

Si基板上への三次元集積的な成長によるグラフェン物性の作り分けに初めて成功~グラフェンとSiが融合した電子・光デバイス混載回路へ道~

 東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らのグループは、東大のグループと共同で、有望な次世代デバイス材料であるグラフェンを、Si基板上に三次元集積的に成長させることに初めて成功しました。さらに、この方法により、グラフェン物性の作り分け(金属性 vs. 半導体性)にも成功しました。
 今回の成果は、将来的なグラフェンとSiが融合した電子・光デバイス混載回路への道を拓くものです。

 

詳細(プレスリリース本文)PDF

 

問い合わせ先

東北大学電気通信研究所
准教授 吹留 博一
電話番号:022-217-5484
E-mail:fukidome*riec.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)

このページの先頭へ