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グラフェンの超伝導化に成功 -『質量ゼロ』の電子が『抵抗ゼロ』で流れる-

東北大学原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)の高橋隆教授および東京大学大学院理学系研究科の一ノ倉聖大学院生と長谷川修司教授の研究グループは、グラフェンを超伝導にすることに成功しました。グラフェンは内部に"質量ゼロ"の高速電子を持つことから、高速電子デバイス材料として大きな注目を集めていますが、今回の超伝導化の成功により、その電子を"抵抗ゼロ"で流すことを可能にしたことで、超高速超伝導ナノデバイスへの応用開発がさらに進むものと考えられます。
 本成果は、平成28年1月29日(米国東部時間)に、米化学会誌「ACS Nano」オンライン速報版に掲載されました。

2層グラフェン層間化合物

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問い合わせ先

東北大学 原子分子材料科学高等研究機構(AIMR) 
教授 高橋 隆 
Tel:022-795-6417 or 6477 
E-mail:t.takahashi*arpes.phys.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)

東北大学 原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)
広報・アウトリーチオフィス
Tel:022-217-6146  
E-mail:aimr-outreach*grp.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)

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