内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の佐橋政司プログラム・マネージャーの研究開発プログラム、および文部科学省「未来社会実現のためのICT基盤技術の研究開発」の一環として、東北大学電気通信研究所の大野英男教授、電気通信研究所の深見俊輔准教授らは、0.5ナノ秒での情報の書き換えが可能な新構造不揮発性磁気メモリ素子の動作実証に成功しました。

　本研究成果は、2016年6月13日から17日まで米国ハワイで開催される半導体デバイス・回路技術の国際会議「2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits」において14日（現地時間）にて発表されました。

開発した3端子スピン軌道トルク磁化反転素子のセル回路(a)と素子構成(b)

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東北大学 電気通信研究所
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E-mail: s-fukami*riec.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）

＜報道担当＞
東北大学 電気通信研究所 総務係
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