窒化物半導体デバイスは、これまでに高輝度LEDによる白色照明の省エネに貢献してきました。この材料はパワーデバイス用途においても省エネが期待されています。しかし、高出力動作を実現するためには、結晶品質の向上が必須で、材料開発が求められています。

本ワークショップでは、結晶成長をはじめ、評価技術、デバイスプロセスなど様々な分野の専門家を招待し、デバイス性能を向上させるための課題について議論を行います。

日時：2017年1月16日（月）- 2017年1月18日（水）

会場：東北大学 金属材料研究所 2号館講堂

申し込み方法：
事前にメールにて参加申し込みをお願いいたします。
[E-mail] tanikawa*imr.tohoku.ac.jp （*を＠に置き換えてください）

参加費：20,000円（学生は無料）

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問い合わせ先

東北大学金属材料研究所
電子材料物性学研究部門　谷川 智之
TEL：022-215-2621
E-mail：tanikawa*imr.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください）