【発表のポイント】

• 5 pJ（pJは10^-12 J）程度の超微小な熱エネルギーで MnTe化合物薄膜の原子にわずかなズレが生じることを発見
• その原子のわずかなズレにより電気抵抗や光学特性が大きく変化することを実証
• 10 ns級の相変化型デバイス材料として応用期待

【概要】

超情報社会を支える基盤として、省エネルギーなメモリ素材の開発が求められています。東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の森竣祐氏(博士課程後期1年、日本学術振興会特別研究員)と須藤祐司教授らの研究グループは、MnTe化合物薄膜が、ジュール加熱やレーザー加熱といった高速加熱による多形変化により、大きな電気的・光学的特性変化(電気抵抗：２桁～３桁変化、光学反射率：～２５％変化)を生じる事を見出しました。この多形変化は、ある特定の原子面が特定の方向にわずかにずれるだけで実現でき、かつ可逆的に生じるため、超省エネルギーかつ超高速な不揮発型メモリの新しい材料として期待されます。

本成果は、2020年1月3日に英国科学誌Nature Communicationsのオンライン版で公開されました。

図　MnTe化合物で観察される変位型相変態による可逆的な結晶多形変化。相変態に伴って電気抵抗や光学反射率が大きく変化。

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