東北大学原子分子材料科学高等研究機構（AIMR）および流体科学研究所（IFS）の寒川誠二教授のグループは、独自技術である超低損傷・中性粒子ビーム技術を用いて「界面準位が10¹¹cm^-2eV^-1以下の高品質な界面を持ったAlOx/GeOx/Geゲートスタック構造」を作製することに成功しました。
　今回、本研究グループは、ゲルマニウム基板表面の自然酸化膜を除去したのち、アルミニウム蒸着によってカバーされた高品質ゲルマニウム表面に酸素中性粒子ビームによる「300℃以下の低温酸化で均一超低損傷なAlOx（1.5 nm）」と「GeO₂比率が20～30％程度の高品質ゲルマニウム酸化膜（1 nm）」を同時に形成することで、MOSキャパシタ構造試作を行い、電気的に界面準位を測定しました。その結果、「10¹¹cm^-2eV^-1以下という極めて低い界面準位密度の実現」に成功しました。これにより、今後ゲルマニウムMOSトランジスタの開発が大きく前進することが期待されます。
　本研究成果は、2015年9月27日から札幌で開催されるInternational Conference on Solid State Devices and Materials （SSDM）で発表されました。

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＜研究に関すること＞
東北大学原子分子材料高等研究機構（AIMR）
東北大学流体科学研究所未到エネルギー研究センターグリーンナノテクノロジー研究分野
教授 寒川誠二（サムカワ　セイジ）
TEL/FAX:022-217-5240
E-mail: samukawa*ifs.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください）

＜報道担当＞
東北大学原子分子材料科学高等研究機構（AIMR）　
広報・アウトリーチオフィスマネジャー　
清水修（シミズ　オサム）
TEL: 022-217-6146
E-mail: aimr-outreach*grp.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください）