本学名誉教授舛岡富士雄先生（電気通信研究所）が、世界で初めて半導体不揮発性メモリーの大容量化を実現した技術である「フラッシュメモリー」の発明と、この領域における技術進化や人材の輩出に大きく貢献したとして、2018年本田賞を受賞しました。

同賞は、公益財団法人 本田財団により創設され、エコテクノロジーの観点から、次世代の牽引役を果たしうる新たな知見をもたらした個人またはグループの努力を評価し、毎年1件、その業績を讃える国際褒賞です。

舛岡名誉教授は将来大容量のデータを取り扱う時代の到来を見据え、電気的に一瞬にして256kbt（キロビット）のデータを一括消去できる半導体不揮発性メモリー「フラッシュメモリー」の技術を1984年に発表しました。フラッシュメモリーは磁気メモリーのように電源を切ってもデータが記憶できる不揮発性メモリーであり、さらに従来に比べ1ビット当たりの専有面積が4分の1以下と、サイズとコストの大幅な低減を実現しました。フラッシュメモリーの今日の普及は、IT機器の小型化や消費電力の大幅な低減に寄与するものであります。

授与式は2018年11月19日（月）に帝国ホテル東京にて執り行われる予定です。

舛岡富士雄名誉教授

• 詳細（公益財団法人本田財団ウェブサイト）

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