レゾナックと東北大、廃棄シリコンとCO₂からSiCパワー半導体材料を作る技術を共同研究

2025年7月 8日 11:00 | プレスリリース・研究成果

【本学研究者情報】

〇大学院工学研究科応用化学専攻
助教　福島潤
東北大学研究者紹介

【発表のポイント】

レゾナックと東北大学は、シリコンスラッジとCO₂からSiCを作る技術をSiCパワー半導体材料の結晶成長に応用するための本格検討を開始
本技術は、「鉱物化」という、CO₂を固体と反応させるカーボンリサイクル技術により、シリコンスラッジとCO₂を再資源化し、有価なSiC原料を創出する技術へ応用するもの
本技術が実用化すれば、SiCパワー半導体は製品として省エネルギー化に貢献するだけでなく、製造工程においてもCO₂排出量削減、シリコンスラッジおよびCO₂の再資源化が同時に実現し、ライフサイクル全体で環境負荷を低減することが可能になる

【概要】

株式会社レゾナック（社長 CEO：髙橋秀仁、以下、レゾナック）と国立大学法人東北大学大学院工学研究科（研究科長：伊藤彰則、以下、東北大学）は、シリコンウェハーの製造過程で発生する廃棄物（シリコンスラッジ）と二酸化炭素（CO₂）を原料とした炭化ケイ素（SiC）粉末を、パワー半導体に用いるSiC単結晶材料の成長用原料として応用するための基礎検討を2024年より行ってきました。本技術が実用化すれば、SiCパワー半導体は、製品として省エネルギー化に貢献するだけでなく、製造工程においても、CO₂排出削減、シリコンスラッジおよびCO₂の再資源化が実現し、ライフサイクル全体で環境負荷を低減することが可能になります。

レゾナックと東北大学は、基礎検討段階が完了したため、このたび応用に向けた本格検討を開始しました。