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レゾナックと東北大、廃棄シリコンとCO₂からSiCパワー半導体材料を作る技術を共同研究

【本学研究者情報】

〇大学院工学研究科 応用化学専攻
助教 福島 潤
東北大学研究者紹介

【発表のポイント】

  • レゾナックと東北大学は、シリコンスラッジとCO2からSiCを作る技術をSiCパワー半導体材料の結晶成長に応用するための本格検討を開始
  • 本技術は、「鉱物化」という、CO2を固体と反応させるカーボンリサイクル技術により、シリコンスラッジとCO2を再資源化し、有価なSiC原料を創出する技術へ応用するもの
  • 本技術が実用化すれば、SiCパワー半導体は製品として省エネルギー化に貢献するだけでなく、製造工程においてもCO2排出量削減、シリコンスラッジおよびCO2の再資源化が同時に実現し、ライフサイクル全体で環境負荷を低減することが可能になる

【概要】

株式会社レゾナック(社長 CEO:髙橋秀仁、以下、レゾナック)と国立大学法人東北大学大学院工学研究科(研究科長:伊藤彰則、以下、東北大学)は、シリコンウェハーの製造過程で発生する廃棄物(シリコンスラッジ)と二酸化炭素(CO2)を原料とした炭化ケイ素(SiC)粉末を、パワー半導体に用いるSiC単結晶材料の成長用原料として応用するための基礎検討を2024年より行ってきました。本技術が実用化すれば、SiCパワー半導体は、製品として省エネルギー化に貢献するだけでなく、製造工程においても、CO2排出削減、シリコンスラッジおよびCO2の再資源化が実現し、ライフサイクル全体で環境負荷を低減することが可能になります。

レゾナックと東北大学は、基礎検討段階が完了したため、このたび応用に向けた本格検討を開始しました。

シリコンスラッジとCO2の再資源化イメージ図

詳細(プレスリリース本文)PDF

問い合わせ先

(研究に関すること)
東北大学大学院工学研究科
応用化学専攻
助教 福島潤
TEL: 022-795-7226
Email: jun.fukushima.d5*tohoku.ac.jp
(*を@に置き換えてください)

(報道に関すること)
東北大学大学院工学研究科
情報広報室
担当 沼澤みどり
TEL: 022-795-5898
Email: eng-pr*grp.tohoku.ac.jp
(*を@に置き換えてください)

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